ALD沉积速率慢？臭氧浓度不够！超200mg/L实测揭秘

ALD沉积速率慢？可能是你的臭氧浓度不够！超200mg/L实测揭秘

在追求极致效率和均匀性的ALD工艺中，沉积速率缓慢是否正成为您产能提升的瓶颈？许多从业者往往聚焦于前驱体与温度控制，却忽略了一个关键因素：臭氧浓度。

传统臭氧发生器输出浓度往往徘徊在100-150mg/L，这远未达到驱动高效表面反应的阈值。浓度不足，意味着需要更长的脉冲时间来确保充分的表面氧化反应，直接导致循环时间延长、产能下降。更重要的是，低浓度可能导致薄膜致密性不足、缺陷增多等质量问题。

浓度，即是效率，更是质量。

某半导体企业深知这一痛点，联系北京同林，我们为其推荐了Atlas H30高浓度臭氧发生器，并进行了实测。在本视频中，您将亲眼目睹专为半导体ALD工艺打造的高性能臭氧发生器实测。数据显示，在其工作流量下，输出浓度达300mg/L，可满足200mg/L以上的超高水平。这意味着：

显著缩短氧化剂脉冲时间，直接提升每循环效率；

促进更充分、更快速的表面反应，提升薄膜生长速率；

获得更优质、更均匀的薄膜特性。