* 1 ： 标准状态下（０℃、１气压）换算的臭氧气体体积

* 2 ： 标准臭氧气体换算 

* 3 ： 最大供给能力下的臭氧供给时间 

* 4 ： 反应室内如不是负压，臭氧生成将会被停止 

* 5 ： 液体臭氧如不能保持安全性，紧急将其排除（气化，稀释，分解，排出）

* 6 ： 连续运转时自动去除臭氧反应室中积蓄的不纯物

* 7 ： 只有在装置停止时清洗臭氧反应室

* 8 ： 装置运转中清洗臭氧反应室

* 9 ： 为了维修保养，建议每隔5天停止装置进行清洗

高质量金属氧化物薄膜的生长

MBE（分子束外延）氧源的示例

结果

通过使用纯臭氧（高纯铜）气体作为氧源，可以形成高质量的金属氧化物薄膜。

使用纯臭氧（高纯度臭氧）作为氧源的优越性已开始在国际市场上得到认可。

原位清洗

EUV 光刻后原位清洗工艺的示例

结果

低压 & 高反应性源材料原位和全天候（24/7）清洗成为可能。

实现了低浓度（70 升）空气（注：此句原文似乎不完整或有误，按字面翻译）。

仅去除 C 污染而不生长氧化层并保持光束的反射率。

由于使用高纯度臭氧，不含 NOx & HCO（注：此处原文"here OR"含义不明，按字面翻译），因此无材料轻微损伤。

通过此努力，真空完全承载，压力表面确保分子量以处理 100% 浓度臭氧的污染（注：此句原文晦涩，按字面翻译）。

表面改性

碳纤维表面亲水化的示例

结果

纤维整个表面形成羟基终端

终端持续时间超过 1 个月

确认无热和物理损伤

低温薄膜沉积

高阻隔膜的示例

结果

通过在低温下产生的 CH 自由基实现无热和物理损伤。

由于无需额外的预照射时间，实现了高吞吐量工艺。

凭借专有的淋浴头结构和气体流动顺序，在基板上实现高均匀性。

半导体基板上的薄膜沉积

浅沟槽上 SiO₂ 薄膜沉积的示例

结果

SiO₂ 薄膜可以均匀地沉积在侧壁和沟槽底部（194.2G/cm³）（注：单位G/cm³在此语境下可能为笔误，通常为密度单位，但此处可能指膜厚或密度）。

清洗/去除/灰化

半导体生产工艺中抗蚀剂灰化的示例（高离子注入）

结果

低温下的高速灰化

可以去除高离子注入的光刻胶而无需 popping（爆裂）。