臭氧浓度稳定性测试
在原子层沉积(ALD)、半导体工艺中使用臭氧具有多方面的优势,这种工艺是一种精密薄膜沉积技术,广泛应用于半导体、光电子器件、纳米技术等领域。臭氧作为氧化剂,能够提供高质量的氧原子源,与金属有机前体分子反应,形成氧化物或氢氧化物薄膜。由于ALD工艺的每一步反应都是单层分子沉积,使用臭氧能够提供非常纯净且致密的薄膜沉积。因此臭氧的稳定性非常重要。
Apex H32 ALD 用高浓度臭氧发生器(22
高浓度板式臭氧发生器(MBE、半导体、科研用)
M10半导体PLD用臭氧发生器
Micro 16 ALD用臭氧发生器
3S-T10(10g/h) ALD专用臭氧发生器
EXT-10高纯净臭氧发生器 (无金属污染及析出)
ALD用液化超纯臭氧发生器(日本meiden)
北京某大学臭氧发生器用于ALD薄膜制备研究
某科学院臭氧发生器用于PLD
某科学院用于原子层沉积(ALD)领域
高浓度臭氧用于增强分子束外延(MBE)
某高校高量程臭氧水检测仪现场
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