半导体蚀刻选择性地从基板上的薄膜中去除材料,以在基板上创建该材料的图案,这是半导体器件制造工艺的关键部分,其中高度选择性的蚀刻可确保半导体芯片的质量和产量。
MKS用于增强半导体刻蚀加工的解决方案包括真空,压力和流量测量与控制,等离子体和发电,臭氧输送和过程自动化。
Apex H32 ALD 用高浓度臭氧发生器(22
高浓度板式臭氧发生器(MBE、半导体、科研用)
M10半导体PLD用臭氧发生器
Micro 16 ALD用臭氧发生器
3S-T10(10g/h) ALD专用臭氧发生器
EXT-10高纯净臭氧发生器 (无金属污染及析出)
ALD用液化超纯臭氧发生器(日本meiden)
如何降低臭氧在半导体工艺中的成本?
原子层沉积(ALD)薄膜生长与臭氧的关系探究
臭氧在分子束外延(MBE)中的应用研究
不同类型的 PLD 设备对臭氧通入腔体镀膜的影响有
臭氧在 PLD 腔体镀膜中的作用机制具体是什么?
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