ALD与其他薄膜沉积方法比较
有几项研究将ALD与其他薄膜沉积技术进行了比较。在这里，我们以表格的形式总结了这些比较。表1给出了不同类型的膜沉积方法，每种技术的优点和应用。
| 方法 | 描述和类型 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|---|
| 电镀 | 将电解液中的化学物质置于基底表面，顶部有种子层，从而形成薄膜 | 耐腐蚀性、装饰性、机械特性改善、保护屏障、导电性和耐热性 | 金属电镀、耐腐蚀性、装饰性、机械特性改善、减少摩擦、保护屏障、提高导电性、耐热性和辐射防护等。 |
| 旋涂 | 旋转时，将液相源（通常是溶胶-凝胶）之间的化学反应施加到基材表面，从而形成薄膜 | 设置简单、易于设置、低成本和快速作系统 | 光刻胶、绝缘体、有机半导体、合成金属、纳米材料、金属和金属氧化物前驱体、透明导电氧化物、光学镜、数据存储用磁盘、太阳能电池等。 |
| 溅射 | 由于源头喷出的高能粒子轰击目标而导致材料沉积的过程 | 沉积各种金属和金属氧化物纳米颗粒 （NP） 和纳米团簇 （NC）、绝缘体、合金和复合材料，甚至有机化合物 | 硅晶片、太阳能电池板或光学器件、催化 |
| 呼吸图 | 一种自组装工艺，可产生蜂窝状结构的薄膜，其微孔呈蜂窝状排列，通常由温暖潮湿的空气（如呼吸）在凉爽的表面上凝结的水微滴形成 | 它简单易用，适用于具有高度组织化的蜂窝状多孔表面的各种材料 | 光学、光子学、表面科学、生物技术和再生医学 |
| 热氧化 | 通过基材的热氧化形成薄膜 | 氧化速度慢，氧化层厚度控制好，击穿场值高 | 半导体工业、晶体管、光敏电阻、电容器和场氧化物等。 |
| 物理气相沉积 （PVD) | 通过气相从源直接传输到基板的气化源材料冷凝形成薄膜：蒸发（热、电子束）、分子束外延 （MBE）、脉冲激光沉积 （PLD）、反应 PVD、溅射（直流、直流磁控管、RF） | 化学成分、薄膜厚度和过渡清晰度的原子级控制 | 燃料电池、电池、微电子、光学和导电表面等。 |
| 化学气相沉积 （CVD) | 通过基底表面上混合气源材料之间的化学反应形成薄膜：常压 CVD （APCVD）、低压 CVD （LPCVD）、等离子体增强 CVD （PECVD）、金属有机 CVD （MOCVD） | 生长速率高，重现性好，外延膜生长，膜质量好，保形台阶覆盖率 | 微电子、太阳能电池、燃料电池、电池等。 |
| 原子层沉积 （ALD) | CVD 的一个子类，通过在衬底表面的自限性化学半反应的连续循环形成薄膜。每个反应循环都说明了（亚）单层的沉积。该反应可以通过热能或等离子体增强来激活。它们可分为：热原子层沉积、等离子体增强原子层沉积 （PEALD）、空间原子层沉积 （S-ALD） | 高质量薄膜、保形性、均匀性、阶梯覆盖率 | 燃料电池、海水淡化、微电子、电容器、氧化物、催化剂等。 |
在工业中，PVD 和 CVD 一直是流行的沉积方法，然而，随着纳米级层厚或无针孔层变得越来越重要，ALD 被认为是领先的新兴技术。
与依靠高温分解衬底表面前驱体的 CVD 相比，ALD 工艺是在较低的温度下进行的。ALD 的生长速率与前驱体在衬底上的通量有关。确定生长速率很复杂，并且通常在温度窗口内运行，在该点上，每个脉冲的前驱体温度和浓度以及吹扫时间是平衡的，并且每个周期的生长量 （GPC） 是稳定的。
联系我们
第一时间了解我们的新产品发布和最新的资讯文章。 北京同林科技有限公司是一家是提供高纯高浓度臭氧发生器系统服务商，目前产品包括半导体用高浓度臭氧发生器、臭氧气体分析仪、溶解臭氧分析仪、臭氧水机、半导体用管道和接头等。 已经应用于众多半导体企... 您有什么问题或要求吗？
点击下面，我们很乐意提供帮助。 联系我们
