德国BMT 965ST高浓度臭氧分析仪

臭氧分析仪BMT 965 ST拥有数十年的臭氧光度计及其工业应用经验。优越的稳定性光度计是通过使用一个真正的双光束光学系统与一个极长的寿命汞灯。仪器的MTBF（包括灯）超过65000小时。不包括灯，是12万小时。包括8gb的非易失性日志内存，为集中和错误日志提供几乎无限的存储容量。如果连接到PC上，仪器就像一个外部USB驱动器，可以从中下载浓度和错误日志。日志也可以复制，固件也可以升级，而不需要外部计算机，只需连接一个USB闪存驱动器。Windows软件BMT 965 Link提供了对所有操作参数的完全控制。电源是100- 240vac，或12- 36vdc的要求。作为一个选项，该仪器可以配备一个内部吹扫单元（IPU）（电磁阀加气泵）全自动归零。

臭氧分析仪BMT 965是一款符合DIN IEC 61554标准的面板安装仪器。前面板缺口尺寸为139x67mm。仪器由两个夹子固定。配件的进口和出口管，和连接器的电源，信号，和RS-232接口，位于后面板上。因此，总深度约为250毫米。其他BMT产品：

•BMT 965 BT （Bench Top）适用于工作台上的独立应用程序

•BMT 965c（机柜），用于在恶劣的服务环境中实现真正的自动独立应用

•BMT 965 AQ和BMT 965 AQ在线臭氧测量DI（去离子水）

•BMT DH6样品气体除湿机干燥湿臭氧样品气体

•BMT 932臭氧监测仪，用于环境空气中的TLV监测（1,3和6通道）

测量原理：双光束紫外光度计（254 nm）

MTBF仪器：含紫外灯65000小时，不含紫外灯12万小时

UV灯：低压汞灯，长寿命设计，可续航300小时

显示：16个字符字母数字背光液晶

浓度范围为：50、100、200、300、400、500、600 g/Nm3，可选范围单位为g/Nm3， %wt/wt和ppmv

2、5、10、20 g/Nm3

误差为总和：测量值的0.4% +比例尺的0.1%

重复性误差：0.2%的测量

响应时间：0.1 s（模拟输出），0.3 s（显示）

零漂移类型：每天0.2%的范围，热身后，非累积

耐压范围：高于1bar

环境温度：0 - 50℃（不冷凝）

接触材料：石英（试管窗）、不锈钢（试管窗）、带有臭氧配件，试管垫片，FFPM（窗口密封件），FEP（管）

气口：用于PTFE管3x5毫米（1/8“x 3/16”），可选4x6毫米PTFE或1/8”Swagelok

推荐流量：0.1至1l /min典型

压降：3bar，0.5升/分钟（带样品气体过滤器）

温度补偿：标准

压力补偿：内置试管压力传感器，用于在任意系统压力下测量臭氧，压力范围1.15 bar（可选1.5至4.0 bar，步骤为0.5，请指定）最小压力0.4 bar，单位可选：bar， psi, Torr, MPa

信号输出浓度4 - 20ma（隔离，有源）浓度0 - 10v（隔离）

浓度报警高报警，低报警，闭锁，不闭锁

控制输入置零（24 V, 8 mA，隔离）

控制输出继电器触点，28 V, 0.5 A，隔离：灯低警告试管脏警告高警报低警报吹扫控制

错误继电器：30v， 0.5 A，总结仪器故障，灯低错误，灯灭错误，试管脏错误，量程过长，超压

早期警告灯低警告，试管污染警告

内存8 GB用于错误和浓度日志

USB移动，设备/主机模式，全速

串行接口：RS-232，双向，隔离，2400 - 38400波特

带有可选内部吹扫单元（IPU）的自动调零

软件：BMT 965链接，仪器配置和读数浓度，事件和错误日志在Windows PC上

功率宽范围输入：100 - 240vac， 15va，可选：12 - 36vdc， 15w

尺寸（宽x高x深）：144 x 72 x 230 mm, DIN IEC 61554

面板切割（宽×高）：139 × 67毫米

重量：1.5 kg

特点

双光束紫外光度计

长寿命汞灯

保修期3年，UV灯5年

精度高，误差小于0.5%

压力和温度补偿

范围为2 ~ 600g /Nm3

内置样品气体过滤器

内部清洗单元（IPU）作为一个选项

用于控制外部调零阀的继电器触点

错误处理包括：总结错误，灯低，试管脏，量程过宽

通过前面板或Windows PC可编程的关键功能

以g/Nm3、%wt/wt或ppmv显示•高、低限位报警

自动调零的时序

压力读数bar， psi， Torr或MPa

4-20 mA和0-10 V隔离输出

8gb非易失日志内存（二进制和Excel CSV）

USB移动，固件升级在现场

RS-232接口（双向，隔离）

应用

监测臭氧发生器输出

过程后残余臭氧的监测

饮用水处理

废水处理

工业臭氧处理

半导体臭氧工艺